ترانزیستورهای FET وکابرد آنها

ترانزیستورها

این قطعه سه پایع دارد و از دو دیود استفاده شده است این قطعه به دو نوع  pnp ,npnداره که پایع های آن

بیس و کلکتور و امیتر هستن که در تصویر نشان داده شده است ترانزیستور ها معمولا با نام qیا v نمایش
داده میشود

در شکل زیر یک فلش هست این نشان این هست که جهت خروجی به کدام سمت هست در این شکل

الان بیس دار که کلتور و امیتر راه میده واز کلتور وارد میشه و امیتر خارج میشه

دراین شکل بعدی ما همون سیستم بالا هست با این تفاوت که این دفعه فلش برعکس شده

ترانزیستورها smd

همان طور که گفته شد اکثر ترانزیستورها سه پایه هست و بعضی وقتی شما 4 پایه در قطعات الکترونیکی مشاهده می کنی

حالا کابرد این پایه چیه از کجا تشخیص بدیم که چهار پایه هست این پایه معمولا از همه پایه ها بزرگ تر

هست و نقش نگه دارنده و خنک کننده این قطعه رو داره البته که این ترانزیستورها زیاد گرما نداره مگر این

که به آن فشار وارد بشه معمولا این قطع مشکی یا خاکستری هستند

که تصویر آن هم در این زیر مشاهده میکنید از این ترانزیستورها های سه پایع هم داریم اگه گفتین چرا سه

پایع تولید کردن ؟

به این دلیل که امروزه اکثر طراحان قطعات الکترونیکی دنبال این هستند که سایز و ابعاد

قطعه کوچیک تر بشه و در برد های الکترونیکی جای کمتری رو بگیره

میپرسین که این پایه 4 ترانزیستورها

چقدر میخواد روی اندازه تاثیر بزاره خیلی تاثیر داره چون اگه 10 عدد از این ها استفاده کنن حجم زیادی رو در

مدار اشغال میکنه مثلا روی برد گوشی های موبایل خیلی کابردی هست اگه ابعاد قطعه کوچک تر باشد

می توانند بجای اینکه جای را به  ترانزیستور را بدهند  از  اون ور

باتری بهتر و بزرگ تری در گوشی استفاده کنن ترانزیستورها در مدار به عنوان تقویت کننده ولتاژ

یا جریان یا در سوعیچ کننده ویا… استفاده می شود .

روش ترانزیستورها

میتوان با یک مولتی متر از طریق تست اهم یا دیود انجام بدیم تست به این صورت هست که از طریق یک

پایع نسبت به پایه های دیگر تست کنیم که باید یک پایه به دو پایه های دیگر راه یا همون عدد در مولتی متر

به مانشان بده که این پایه  بیس نام دارد که کلتور و امیتر راه میده

حالا در این عداد های عدد بزرگ تر مثللا 710 میشه امیتر وعدد کوچک تر مثلا 678 میشه کلکتور با این روش

میتوانی هر ترانزیستوری را تست کنی اگر یک ترانزیستور برداشتی و سه تا پایه آن هیچ عددی رو نشان

نداد بدان که ترانزیستورها خرابه وباید تعویض بشه وهنگام تعویض یادتان باشد که همان مدل و شماره خود

ترانزیستورها را تهیه کنید چون ترانزیستورها اکثرا یک شکل هستن و فقط نوع کار کرد آنها با هم فرق می کند

از کجا بفهمیم ترازیستور خرابه ؟

اگر دید که ترانزیستور ها همه پایه ها داره به هم راه میده خرابه یا اگه همه اعداد بین بیس کلکتور

و امیتر یک سان بود از هم این ترانزیستور خرابه

ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی یا ترانزیستور JFET  ترانزیستور

پیوندی دوقطبی دیدیم که جریان خروجی کلکتور، متناسب با جریان ورودی گذرنده از بیس است که سبب می‌شود

ترانزیستور مانند یک قطعه جریان کار کند (مدل بتا)، زیرا یک جریان کوچکتر را می‌توان برای سوئیچ جریان بزرگ باربه کار برد.

ترانزیستور اثر میدان (Field Effect Transistor) یا FET، از یک ولتاژ برای اعمال به ترمینال ورودی که گیت

(Gate) نامیده می‌شود، استفاده می‌کند و جریان گذرنده از آن متناسب با این ولتاژ‌ است. از آن‌جایی که عملکرد FET

مبتنی بر یک میدان الکتریکی حاصل از ولتاژ گیت ورودی است (نام اثر میدان به همین دلیل است)،‌ سبب

می‌شود ترانزیستور اثر میدان، یک قطعه مبتنی بر ولتاژ باشد

ترانزیستور اثر میدان، یک قطعه نیمه‌هادی تک‌قطبی است که مشخصات آن بسیار شبیه به ترانزیستور

دوقطبی مشابه است. برخی از ویژگی‌های این قطعه، بازدهی بالا، عملکرد لحظه‌ای، مقاوم و ارزان بودن

است که می‌توان آن را در اغلب مدارهای الکترونیکی با ترانزیستورهای پیوندی دوقطبی (BJT) معادل

جایگزین کرد.

ترانزیستورهای اثر میدان را می‌توان در ابعاد کوچک تری نسبت به ترانزیستور دوقطبی معادل ساخت و به

دلیل مصرف و  تلفات توان پایینی که دارند، گزینه مناسبی برای استفاده در مدارهای مجتمع مانند

تراشه‌های دیجیتال هستند.

در ترانزیستورهای دوقطبی، آرایش مواد نیمه‌هادی فیزیکی نوع P و نوع N، نوع ترانزیستور را مشخص

می‌کند. این تفاوت ساختار مواد نیمه‌رسانا را برای ترانزیستورهای اثر میدان نیز می‌توان بیان کرد و FETها را

در دو دسته اصلی FET کانال N و FET کانال P قرار داد.

ترانزیستور اثر میدان، سه پایه یا ترمینال اصلی دارد که پیوند PN در مسیر اصلی هدایت جریان بین

ترمینال‌های درین و سورس  وجود ندارد. این دو پایه، نقشی متناظر با پایه‌های کلکتور و امیتر در ترانزیستور

دوقطبی دارند. مسیر جریان بین این دو ترمینال، «کانال» (Channel) نامیده می‌شود و از ماده نیمه‌رسانای

نوع P یا نوع N ساخته می‌شود.

کنترل جریان گذرنده از این کانال با تغییر ولتاژ‌ اعمالی بر گیت (Gate) امکان‌پذیر است. همان‌طور که از نام

ترانزیستورهای دوقطبی پیداست، قطعاتی دوقطبی هستند، زیرا با هر جریان دو نوع حامل‌های بار حفره و

الکترون کار می‌کنند. در مقابل، ترانزیستور اثر میدان،‌ یک قطعه تک‌قطبی است که فقط به حرکت الکترون‌ها

(N) یا حفره‌ها (P) بستگی دارد.

ترانزیستور اثر میدان، یک مزیت اساسی نسبت به ترانزیستورهای دوقطبی مشابه دارد و آن این است

که امپدانس ورودی (RinRin) بسیار بزرگی (چند هزار اهم) دارد. این امپدانس ورودی بسیار بزرگ، FETها را

نسبت به سیگنال‌های ولتاژ ورودی، بسیار حساس می‌کند. اما همین حساسیت بالا گاهی دردسرساز

می‌شود و ممکن است FET با الکتریسیته ساکن به سادگی آسیب ببیند .

دو نوع اصلی ترانزیستور اثر میدان وجود دارد: ترانزیستور اثر میدان پیوندی

((ترانزیستور اثر میدان اتصال)(Junction Field Effect Transistor) )یا JFET و ترانزیستور اثر میدان با گیت

ایزوله‌ شده ((ترانزیستور اثر میدانی گیت عایق) (Insulated-gate Field Effect Transistor یا IGFET که

معمولاً با نام ترانزیستور اثر میدان نیمه‌هادی اکسید فلز (Metal Oxide Semiconductor Field Effect

Transistor) یا MOSFET نامیده می‌شود.

ترانزیستور JFET

قبلاً دیدیم که یک ترانزیستور پیوندی دوق

طبی، در مسیر هدایت جریان بین ترمینال‌های امیتر و کلکتور از دو

پیوند PN تشکیل می‌شود. اما ترانزیستور اثر میدان (JUGFET یا JFET) پیوند PN ندارد، ولی به جای آن، یک

بخش نازک از ماده نیمه‌رسانای با مقاومت بالا دارد که یک کانال نوع N یا نوع P سیلیکون را در هر انتها

تشکیل می‌دهد که به ترتیب، درین و سورس نام دارند.

دو پیکربندی اصلی برای ترانزیستور اثر میدان وجود دارد: JFET کانال N و JFET کانال P. کانال JFET کانال N،

با ناخالصیِ دهنده  آلاییده می‌شود. این بدین معنی است که جریان گذرنده از کانال، به فرم الکترون‌های

منفی است (اصطلاح کانال N به همین دلیل است).به طور مشابه، کانال JFET کانال P، با ناخالصیِ پذیرنده

آلاییده می‌شود. این بدین معنی است که جریان گذرنده از کانال را حفره‌های مثبت تشکیل می‌دهند.

(اصطلاح کانال P به همین دلیل است). JFET نوع N رسانایی کانال بزرگتری (مقاومت کوچکتری) نسبت به

کانال نوع P معادل خود دارد؛ زیرا الکترون‌ها در مقایسه با حفره‌ها تحرک بیشتری در یک رسانا دارند. این

موضوع، JFET کانال N را یک رسانای کارامدتر نسبت به مشابه کانال P قرار می‌دهد. قبلاً گفتیم که دو اتصال

الکتریکی اهمی در هر دو انتهای کانال وجود دارد که درین و سورس نامیده می‌شوند. اما در این کانال، یک

اتصال الکتریکی سوم نیز وجود دارد که ترمینال گیت نام دارد. اتصال گیت به کانال اصلی نیز می‌تواند با یک

ماده نوع   P یا نوع N تشکیل شود.

مدار تقویت‌ کننده سورس مشترک (CS)

به وسیله مدار مقسم ولتاژ در مد کلاس A بایاس می‌شود. ولتاژ مقاومت منبع RSRS عموماً در مقداری برابر

با یک‌چهارم VDDVDD تنظیم می‌شود. البته اندازه آن، هر مقدار معقولی می‌تواند باشد. ولتاژ گیت لازم برای

را می‌توان با استفاده از مقدار RSRS به دست آورد. از آن‌جایی که جریان گیت برابر با صفر است

(IG=0IG=0)، می‌توان ولتاژ نقطه کار ساکن DC را با انتخاب مناسب مقاومت‌های R1R1 و R2 R2 تنظیم

کرد.

دوره ی نقره ای :  اگر به یادگیری و شروع کار الکترونیک علاقه دارید و یک فرد آماتور و مبتدی هستین این دوره به برای شما مناسب است جهت اطلاعات بیشتر و خرید دوره ی نقره ای کلیک کنید 

دوره ی طلایی : اگر از کار الکترونیک تا حدودی سر در میارید  و میخواهید اطلاعات خود را بالاتر ببرید و به یک تعمیر کار حرفه ای تبدیل شوید این دوره برای شما مناسب است جهت خرید دوره و اطلاعات بیشتر کلیک کنید